通讯接口很容易受到各种瞬态电压威胁，如静电放电（
ESD），电缆放电事件（CDE）和雷击浪涌。这些威胁提供系统设计者所面临的挑战，其中包含过电压
保护器，以满足或超过电路保护标准（见表1），而不会降低传输速率。关键参数，如工作电压，钳位电压和电容，在选择的过电压保护装置必须被考虑在内。
保护器件的电容通常是高速数据速率应用中一个决定性更高的因素（见表2）。
TVS二极管，像其他半导体产品一样，有一个固有电容。电容是依赖于结面积，掺杂浓度和通过二极管两端的电压。反向偏置电压是负相关的器件的电容，作为反向偏压增加了器件的电容减小。作为掺杂浓度的增加，二极管的额定电压降低，并且设备的电容增大。另一方面，具有较高电压值的设备具有更小的结电容。较大的接合面积涉及高电流处理能力。但作为设备或接线尺寸的增加，器件的电容的增加伴随着它。
一个的电容器的特性是随时间变化的信号的低阻抗。信号的频率越高，降低提供给它的阻力。因此，当一个TVS二极管被用在高数据速率应用，特性设备电容趋于衰减信号。因此，该设备时电容很大，由高频遭受的衰减信号越大。
踏歌电子的保护器件继续与合作主要的电子设备制造商开发下一代被保护的设备电路保护产品组件。踏歌电子器件具有低轮廓，节省空间提供低工作电压的设备，更低的钳位电压和超低容量高速通信应用。
目前踏歌电子已经推出0201封装超低电容的ULC0521C 的
ESD保护器件。
.jpg)
销售客服
